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产品型号 工作频率 (GHz) 增益 (dB) PAE (%) Psat (dBm) 供电 芯片面积 (mm*mm) 封装形式
DC - 6 10 35 40 +28V 14.70 x 18.03 x 1.00 金属陶封
0.1 - 10 13 27 33 +12V@0.4mA 6.00 x 6.00 x 1.05 陶封
0.6 - 1.3 16.5 33 +12V@0.28mA 4.00 x 4.00 x 0.75 塑封
2 - 6 25 37 +8V@320mA 4.00 x 4.00 x 0.75 塑封
2 - 6 27 39 45 +28V@0.6A 17.78 x 8.33 x 1.58 金属陶封
2 - 6 28 42 45 +28V@0.7A 17.78 x 8.33 x 1.58 金属陶封
2 - 6 28 40 45 +28V@1.2A 7.80 x 7.80 x 1.65 陶封
2 - 7 28 40 +8V@620mA 5.00 x 5.00 x 1.20 陶封
5 - 6 24 56 47 +28V 14.70 x 18.03 x 1.00 金属陶封
6.5 - 13.5 21 32 25 +5V@145mA 4.00 x 4.00 x 1.20 陶封
6.5 - 13.5 21 31 24.5 +5V@145mA 4.00 x 4.00 x 0.75 塑封
7 - 13 30 38 33 +8V@0.63A 5.00 x 5.00 x 1.10 陶封
7 - 13 29.5 43 35.5 +8V@730mA 7.80 x 7.80 x 1.65 陶封
7 - 13 28 43 35 +8V@0.7A 18.03 x 8.70 x 2.34 金属陶封
8 - 11 26 42.5 37.5 +8V@1.35A 17.88 x 8.33 x 1.58 金属陶封
8 - 11 24.5 38 37 +8.5V@1.5A 7.80 x 7.80 x 1.65 陶封
8 - 11.5 19 48 31.5 +8V@0.33A 5.00 x 5.00 x 1.20 陶封
8 - 12 22 37 39.3 +8V@1.65A 17.88 x 8.33 x 1.58 金属陶封
8 - 12 24 44 40.5 +8V@2.8A 17.78 x 8.33 x 1.58 金属陶封
8 - 12 24.5 40 40.5 +8V@3.3A 17.78 x 8.33 x 1.58 金属陶封